設計中使用的放大管全是MOSFET，由于其抗靜電性能非常差，稍不留神就會因為焊接設備上的靜電把管子燒壞，尤其是最后一級的大功率MOSFET(MRFl57)，因此管子安裝時要特別小心。設計電路前，可以使用Multisim軟件或Pspice軟件中的器件模型來熟悉IRFSIO和IRF530的使用。
 
　　電路開始調試時，可以先不對最后一級的MOSFETMRFl57進行偏置電壓設置。先通過測試前兩級的放大效果來設定MRF157的靜態工作點，測試得到的前兩級信號放大結果為100V Vp-p(高阻輸入)左右。調試時每個管子的工作點電壓不要太高，略高于開啟電壓VC(TH)即可。在電源端一定要監視工作電流，防止電流過大。通過微調每個管子柵極端的變壓器調整靜態工作點，以求盡量減少波形失真。此時可以使用示波器監控波形輸出。根據對前兩級電路調試的實際結果來看，第一級主要對放大后的幅度有影響，而第二級則影響了放大后的波形。

　　調試最后一級功率放大時，由于MRFl57太過昂貴，一定要非常謹慎。每次調試時，盡可能先設置好每個管子的靜態工作電壓，不要動態改變靜態工作點。終端接入5011大功率同軸衰減器后輸入到頻譜分析儀中。通過頻譜分析儀的頻域波形可以得到輸出功率，以及諧波分量。

　　本文所設計的大功率放大器在實驗室環境下完成了組裝和測試，并長時間與發射線圈進行了聯試。試驗及實用表明，該放大器運行正常，工作可靠，能夠完成寬頻帶射頻脈沖的大功率放大，滿足了設計要求，對在該頻段下工作的某探測設備起了很大作用，效果良好。