Azzurro（德國半導體制造商）使用公司的硅基氮化鎵LED模板晶片，在波長變化的生產和實驗室樹立了里程碑，現在Air Water（日本安曇野市的愛沃特株式會社）正使用愛思強公司全新的有機金屬化學氣相沉積反應器制造碳化硅基氮化鎵架構。

    從性能的角度來看，使用釤基氮化鎵或碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術可以繼續推進產業的前進，我們也有理由相信這樣可以繼續最大限度地減少LED的成本和更廣泛的固態照明（SSL）。Azzurro正在尋求硅基氮化鎵晶半導體圓模板，并宣布其生產方案已在研發實驗室達到3納米波長均勻度和1納米的均勻度，與此同時，Air Water在硅晶片上加上碳化硅層，以此來減少缺陷，并使LED輸出更多的光。

    硅的吸引力是可以保持晶片的低成本，以及后端LED制造工藝的自動化，并按集成電路（IC）工廠線使用。這也就是說，LED顯示器可以減少組件元件成本以及SSL系統的材料清單。

    硅基氮化鎵模板

    我們前面已經介紹過德國德累斯頓的發展策略：制造商可以通過使用自己的知識產權增長此模板的外延結構。想必Azzurro的制造商會處理LED硅處理方面的困難，包括晶片的處理和可變晶片的厚度問題。

    Azzurro在近日舉行的國際會議上宣布了其最新的里程碑式的氮化物半導體2013（ICNS-10）。“我們很高興，也很自豪能夠做出1.0納米的成就，”Azzurro的聯合創始人Alexander Loesing這樣說道：“有了這些結果，我們證明了我們的硅基氮化鎵技術可以使LED行業接近1-bin LED晶片的目標。”

    該實驗室開發的1納米均勻性就可以產生1-bin的LED顏色，但Azzurro并沒明確指出這一成就，因為它可能會被商業化。即使是3納米的均勻性成果在生產環境中也會缺乏一定的可信度，直到這樣的LED出現在市面上。Azzurro表明：此成就使用了150毫米（6英寸）晶片，也可以在1.3％以內均勻交付正向電壓。

    碳化硅基氮化鎵架構

    根據Aixtron的公告顯示：總部設在日本安曇野市的工業氣體生產商Air Water集團，正在使用一種新方法來將碳化硅層加入到硅晶片，這是一種包括有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）反應器的LED設備，用來擴展化合物半導體外延層。愛思強公司說，它安裝的AIX G5 HT行星式反應器可以在集成6*8的晶片。

    科瑞已經證明此架構可以很好的發揮LED的作用，能始終如一地散發完美的光效。碳化硅提供了更好的結晶性，這樣就可以減少缺陷，提供更多光輸出之間的匹配。但是，碳化硅晶片的成本顯然高于藍寶石晶片的成本，雖然科瑞在使用該技術有很明顯的價格競爭力。

    想必Air Water的此架構也會盡快完成，與此同時，碳化硅層將提供一個如同氮化鎵層的更好晶片，借以形成LED結構。

    當然，同質襯底和外延層之間一定存在著某種路徑，比如Soraa正在追求的東西，但顯然，氮化鎵晶片比碳化硅晶片更昂貴。