法國科學家的研究顯示，"單晶"(monolithic)白光發光二極管(WLED)的表現可望超越先前使用復合技術制造的WLED。CRHEA-CNRS的BenjaminDamilano及其研究團隊利用氮化銦鎵(GaInN)/氮化鎵(GaN)制量子阱來產生藍光及黃光，進而制作出WLED。這項成果使WLED的商業化有向前推進一步，未來有希望取代目前使用的白熾燈泡。

　　科學家在WLED方面已經努力了近十年，希望制作出效率高、壽命長且便宜的固態WLED，以便與現行高耗能的白熾燈泡或熒光燈管一較長短。雖然發光效率達200lm/W的WLED已經問世，但與傳統光源相比，成本仍舊偏高。

　　近來，包含CRHEA-CNRS在內的許多研究團隊都證實，通過在氮化鎵的p-n接口中堆棧氮化銦鎵或氮化鎵量子阱，就可以制造出單晶WLED。所謂單晶是指采用連續外延生長的單一工法來取代傳統制造磷光WLEDs的雙重工法(外延加上沉積)。這項技術不僅能降低成本，更可以提升產品可靠度。

　　CRHEA-CNRS團隊借助在組件p-n接口中的電子主動區生長不同厚度的量子阱，來產生藍光及黃光，混合后便能產生白光。然而這項設計有個缺陷：激發出的光對于注入的電流變化非常敏感，所以組件的發光效率會被黃光量子阱限制住。

　　為解決此問題，研究團隊將產生黃光的量子阱制作于p-n接口之外，因此不再以電流激發此量子阱，而是利用藍光光子來激發，換言之，注入的電流使主動區內的電子及空穴重新結合發射出藍光，部份藍光光子會被黃光量子阱吸收并激發出黃光，兩色光混和后就產生了白光。Damilano表示，這項技術的關鍵在于它保存了單晶的架構，但在應用方面又比原結構更富彈性。

　　目前該團隊計劃使用其它比氮化銦鎵量子阱效率更高結構如量子點來達到電光轉換，他們也考慮使以基板取代目前的藍寶石基板，以降低組件制造成本。