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爾必達全面量產30nmDRAM 產能將達近8萬枚/月

來源:技術在線 更新日期:2011-04-29 作者:佚名

    日本爾必達存儲器(Elpida Memory)宣布,將從2011年5月開始全面量產采用30nm工藝的DRAM。生產基地是該公司的廣島工廠和臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經開始生產30nmDRAM,2011年4~6月將把比例擴大至20%、2011年7~9月擴大至30%。而瑞晶工廠則計劃在2011年7~9月導入30nmDRAM技術,2011年7~9月將比例提高至50%、2011年10~12月迅速提高至100%。

    爾必達從2010年9月開始開發30nmDRAM,2010年底開始向處理器廠商等大型客戶樣品供貨2Gbit產品。在市場行情惡化導致DRAM被迫整體減產的情況下,爾必達于2011年1月在廣島工廠開始量產30nmDRAM,量產規模在2011年1~3月為數千萬枚/月。之后,隨著DRAM市場行情的復蘇而取消了減產計劃,廣島工廠恢復了12萬枚/月的滿負荷運轉狀態,其中預定在2011年4~6月使30nmDRAM比例達到20%(其余80%基本上都是40nm工藝產品)。也就是說,2011年4~6月的30nmDRAM產量為2萬4000枚/月(=12萬枚/月×20%)。

    隨后,爾必達將在2011年7~9月把廣島工廠的30nmDRAM比例提高至30%。此外,還計劃向瑞晶工廠移植30nmDRAM技術,將2011年7~9月的30nmDRAM比例提高至50%。因此,把廣島工廠3萬6000枚/月(=12萬枚/月×30%)和瑞晶工廠4萬2500枚/月(=8萬5000枚/月×50%)的產能加起來,爾必達的30nmDRAM總產量將達到7萬8500枚/月。之后,將在2011年10~12月把瑞晶工廠的30nmDRAM比例提高至100%。另外,廣島工廠還要兼顧其他產品的生產,2011年10~12月的30nmDRAM比例以及該比例達到100%的時間等“未定”(爾必達)。

    關于30nmDRAM的具體生產計劃方面,2011年5月將首先面向個人電腦(PC)量產2Gbit DDR3-SDRAM,之后在廣島工廠量產4Gbit DDR2標準的“Mobile RAM”和4Gbit DDR3-SDRAM。瑞晶工廠將以量產PC用DRAM為核心。另外,據爾必達介紹,與該公司的40nmDRAM相比,30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45%左右、耗電量將減少20%以上。

 標簽:半導體 行業新聞
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