作為國內領先的LED芯片企業,華燦光電在2020年完成15億元定增項目。其中,約12億元投向Mini/Micro LED項目,約3億元則投向氮化鎵基電力電子器件項目。
事實上,Mini/Micro LED及氮化鎵電力電子器件是華燦光電近來布局的重點。氮化鎵作為第三代半導體的重要代表材料之一,氮化鎵電力電子器件領域有望成為華燦光電下一個成長空間的入口。
在由 TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體市場、全球半導體觀察聯合舉辦的“2022集邦咨詢化合物半導體新應用前瞻分析會”上,華燦光電副總裁王江波詳細分析了氮化鎵技術所面臨的挑戰與機遇,以及華燦光電的布局。
華燦光電副總裁 王江波
Mini/Micro LED、電力電子器件:GaN材料重要應用領域
王江波表示,GaN作為一種寬禁帶半導體材料,學術界已研究多年,在20世紀90年代,GaN在藍光LED上開始大放異彩,進而引起業界更為廣泛的關注。
從材料性質上而言,GaN化學性質穩定,且GaN是直接帶隙的半導體材料,其禁帶寬度可覆蓋從紫外到紅外,因此,GaN材料成為紫外、藍光、綠光LED和激光器等光電器件實現的基礎,廣泛應用于照明、顯示、通信、醫療等多個領域。
此外,GaN材料具備3.4eV的能帶寬度,異質結處具備高密度2DEG,同時GaN材料具有較高的臨界擊穿電場、飽和電子速度,在電力電子器件方面具備獨特的優勢,如高耐壓、高開關頻率、耐高溫等。
其中,在新型顯示Mini/Micro LED領域,王江波指出,顯示技術經過多年的迭代與升級,Mini RGB直顯產品已經實現大規模量產,其中P1.2-P0.3將是未來的主力;MiniLED背光在2021年迎來爆發,產業鏈龍頭企業紛紛推出MiniLED背光終端產品。未來,MiniLED背光將持續打開更多應用空間。
而Micro LED在亮度、對比度、可靠性等方面展現出巨大的優勢,未來商業化應用方向主要包括大尺寸領域,如電視、商業廣告與顯示等,以及小尺寸領域,如AR/VR,可穿戴設備等。
但Micro LED目前仍需進一步解決多個技術問題,包括外延材料的高度一致性,微米級芯片制作的精度控制和良率,巨量轉移的高良率,全彩化的有效實現,控制線路、驅動和背板的設計,以及壞點的有效修復等。據了解,微米尺寸的Micro LED制備已經脫離了普通LED工藝,進入了IC制程。而硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優勢,因此成為Micro LED制備的主流技術路線之一。
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王江波還介紹了GaN在電力電子器件方向的應用。
據悉,電力電子器件的主要作用是通過逆變、升壓、降壓、變頻、變相、開關等一系列手段,將發電廠生產的“粗電”轉換為日常可用的“細電”。近年來,業界對電力電子器件提出了更高的要求,包括環保、節能、高效、低成本、高靈敏度等,而這些新的要求正好與GaN材料相匹配。
王江波表示,GaN電力電子器件的優勢主要表現在:電能轉換效率更高、可使用的頻率更高導致器件體積可更小、功率密度更大、速度更快等,因此,GaN材料可以在電力電子器件領域得到廣泛應用。
目前,GaN功率器件率先在消費電子快充領域起量。王江波認為,未來3-5年內,GaN功率器件預計將在電動汽車、數據中心、自動駕駛、人工智能等領域獲得較快發展。
但GaN功率器件產品目前仍存在不足,如較低的Vth、Vgs、高溫下漏電偏高、電流崩塌等。針對這些問題,業界也提出了相應的技術方案進行解決,如凹槽柵技術、垂直器件(MOS)。王江波表示,這兩種技術都可以實現更高的Vth、更大的Vgs容限,且可進一步簡化驅動電路。基于這些優點,產業鏈上已有多家企業正在針對這兩項技術進行相關研究。
從專注LED到發力GaN電力電子器件
此前,華燦光電對GaN材料的研究主要集中在LED方向,具有十幾年GaN相關的外延及芯片(LED)制造經驗,在新一代顯示用芯片Micro LED領域,中小尺寸產品與戰略客戶合作取得關鍵進展,良率穩步提升,滿足客戶系統驗證要求;大尺寸圓片波長均勻性顯著得到提高,公司巨量轉移技術與設備廠商以及下游戰略客戶聯合開發,進展順利。
2020年,華燦光電正式進入GaN電力電子器件領域。目前GaN電力電子器件外延片已達到國內先進水平,芯片相關工藝完成階段性開發,6英寸硅基GaN電力電子器件工藝已通線,100mm柵寬D-Mode器件靜態參數已達標(對標國際市場)。預計2022年底推出650V cascode產品,2023年具備批量生產和代工能力。
應用領域上,華燦光電將向移動消費電子終端快速充電器、其他電源設備、數據中心、電動汽車、通信等方向積極拓展。
從專注LED到發力GaN電力電子器件,華燦將憑借領先的技術研發能力、優秀的管理水平、優質的客戶結構以及雄厚的資金實力為先發優勢,開啟下一個快速增長期。(文:化合物半導體市場 林細鳳)