Micro LED被譽為顯示技術的終極目標，近年來發(fā)展迅速，在海內外大廠的積極推動和新興應用市場需求增長的驅動下，Micro LED技術備受關注，開始逐漸應用在大型顯示器與智能穿戴設備中。

    盡管已有終端應用產品出現(xiàn)，但Micro LED的發(fā)展仍在初期階段，其應用落地面臨著一系列技術問題，因此大規(guī)模商用化仍需時日。而利亞德作為Micro LED領域的先行者之一，已率先實現(xiàn)Micro LED的研發(fā)、量產、規(guī)模化商用落地。

    日前，利亞德集團副總裁、智能顯示研究院院長盧長軍出席2022集邦咨詢新型顯示產業(yè)研討會，圍繞Micro LED顯示的發(fā)展趨勢做出了深度解析。

    商業(yè)應用走向消費領域

    Micro LED不僅憑借高亮度、高分辨率、高對比度的特性帶來了震撼的顯示效果，還因其輕薄化、可小型化的屬性，芯片制造所需的耗材更少。以4K屏幕的制造為例，傳統(tǒng)LED芯片需消耗數(shù)十片晶圓，而采用Micro LED芯片，晶圓的消耗則在個位數(shù)。此外。Micro LED還具有低功耗、設計靈活等特點。

    多項優(yōu)勢使Micro LED成為最佳顯示方案，在各個領域的應用均有較大的想象空間。

    利亞德從應用角度分析認為，Micro LED的應用需經歷三個發(fā)展階段。初期的第一和第二階段，Micro LED的應用將集中在商業(yè)應用領域，尤其是需更高分辨率的大尺寸商業(yè)顯示應用和在會議室等更小空間的商業(yè)應用。第三階段，Micro LED技術的應用將會擴展到AR/VR、車載等需更高分辨率和可靠性的領域之中。未來，隨著Micro LED技術的不斷進步，成本不斷下降，其應用將落地到具有更高成本敏感度的手機、平板等消費電子領域。

    4大核心技術發(fā)展趨勢

    Micro LED的應用前景廣闊，從商業(yè)應用到消費電子，都是Micro LED可大展身手的領域。但目前Micro LED處于發(fā)展初期，在巨量轉移、芯片效率、全彩技術等一系列問題上，業(yè)界尚未有成熟的解決方案，規(guī)模化量產與應用仍需時間。因此, 當務之急是進一步突破Micro LED核心技術問題。

    利亞德指出，Micro LED包含了4大核心技術，分別是Micro LED芯片技術、巨量轉移技術、檢測及返修、光學和表面處理。

    Micro LED芯片技術：利亞德強調，Micro LED最終將走向無襯底方向，且芯片尺寸將進一步微縮，因此保證LED外延片質量尤為重要，外延層的均勻性、缺陷和粒子數(shù)將影響晶圓上Micro LED的可用性。另外，芯片微縮化后的低效率和邊緣漏電問題、襯底剝離、芯片制程良率都是目前Micro LED芯片制造上面臨的問題，直接影響最終成品的可靠性。

    巨量轉移技術：由于Micro LED的薄膜化特質，傳統(tǒng)的pick&place轉移方式已無法適用，因此提出Micro LED巨量轉移技術。目前市面上出現(xiàn)了不同的巨量轉移技術方案，利亞德則從4方面考量與選擇適合的應用方案，分別是轉移效率、精度、方案成熟度和對大尺寸顯示應用的適用性。

    利亞德認為，激光巨量轉移是現(xiàn)階段最優(yōu)解方案，其具有較好的兼容性，可同時應用于轉移帶與不帶襯底的LED，且在帶襯底LED芯片的轉移中能夠避免LED的偏移和側翻問題。

    檢測及返修: 檢測技術上，由于Micro LED芯片和電極過于微小，業(yè)界研發(fā)了非接觸式檢測技術，可通過PL檢測測試LED光學性能，但電學性能暫時無法測試，因此業(yè)界也有觀點認為，若能保證LED外延的均勻性和波長的一致性且無顆粒，則無需點測及分bin。

    另外，業(yè)界還提出了MIP方案，即Micro LED芯片良率有一定保證的前提下，先對芯片進行封裝再進行測試應用。MIP方案除無需先進行點測之外，對于基板的選擇更加靈活，對巨量轉移的良率要求也相對較低。

    光學和表面處理：針對提高對比度/黑度，降低反射率，目前解決方案有：縮小LED芯片尺寸、底部填充基板線路進行遮蔽、增加基板墨色、表面覆蓋抗反射膜等。針對墨色一致性問題，也可啟用墨色篩選，雖可一定程度上解決問題，但卻會對終端產品售價造成負面影響。

    而針對亮屏顏色的一致性問題，主要通過LED分bin和混bin管理進行控制，并通過后端校正來解決；針對像素尺寸與像素間距的適配問題，則是通過增加像素填充率來解決。

    利亞德的Micro LED發(fā)展之道

    面對Micro LED關鍵技術難題，LED業(yè)界給出了多種技術路徑，嘗試從中找到最佳的解決方案。利亞德憑借自身在LED顯示行業(yè)的豐富經驗，也探索出屬于自己的Micro LED發(fā)展之道。

    在巨量轉移技術上，利亞德基于對大尺寸的Micro LED顯示技術的理解，發(fā)展了兩種巨量轉移技術，分別是mass transfer1和mass transfer2，mass transfer1主要應對帶襯底LED和PCB基板的巨量轉移，mass trasnfer2則是針對無襯底、玻璃基板或其他高精度基板的巨量轉移應用。

    在表面處理和光學方面，利亞德發(fā)展了A、B、C MODE三種表面處理技術，A MODE屬于高性價比方案；B MODE是雙層封裝結構，墨色一致性、均勻度、對比度具有較好的表現(xiàn)；C MODE均勻度表現(xiàn)最佳，適合COB和COG封裝產品的應用。

    不僅如此，利亞德還通過與IC廠家的合作開發(fā)了具有自主知識產權的驅動芯片，集成度更高，可控像素更多，可有效降低顯示產品最大亮度功耗、平均功耗和黑屏功耗。另外，利亞德還開發(fā)了LED顯示屏專用的ASIC控制芯片，提高了Micro LED顯示產品的標準化程度，并進一步降低了產品的功耗和溫升。

    在過去的2021年，利亞德Micro LED業(yè)務進展順利。訂單方面，利亞德新簽Micro LED訂單達到了3.2億元；產品方面，發(fā)布了覆蓋40英寸到81英寸的標準2K Micro LED顯示產品，并基于此開發(fā)了涵蓋108英寸到216英寸的大尺寸Micro LED消費級電視。另外，利亞德還與TCL華星合作開發(fā)并制作了全球首款75英寸P0.6氧化物AM直顯Micro LED TV樣品；

    產能方面，2021年，利亞德Micro LED產能實現(xiàn)800KK/月，且計劃在今年底實現(xiàn)1600kk/月的產能。此外，利亞德已開始著手Micro LED產業(yè)鏈儲備布局，持續(xù)推進Micro LED技術和成本突破。

    展望未來，利亞德集團副總裁盧長軍表示，未來大尺寸Micro LED將不再追求間距的縮小，極致的畫質、高可靠性和穩(wěn)定性將成為Micro LED發(fā)展的最大追求，這也是利亞德Micro LED的發(fā)展方向。

    從產品和應用端來看，Micro LED將不再拘泥于傳統(tǒng)的拼接墻產品的形式，利亞德將針對不同的產品需求開發(fā)出多樣化的Micro LED產品，使技術真正服務于產品和應用。