4月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司發(fā)布2024年年度報告。公司2024年營業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，2024年刻蝕設(shè)備銷售約72.77億元，同比增長約54.72%；MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%，LPCVD設(shè)備2024年實現(xiàn)首臺銷售，全年設(shè)備銷售約1.56億元。

    2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤約16.16億元，較上年同期減少9.53%，本期減少的主要原因：（1）2024年營業(yè)收入增長44.73%下，毛利較去年增長約9.78億元。（2）由于市場對中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長，2024年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補(bǔ)齊國產(chǎn)高端半導(dǎo)體設(shè)備短板，實現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎(chǔ)。2024年公司研發(fā)投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，2024年研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為27.05%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板均值。2024年研發(fā)費用14.18億元，較去年增長約6.01億元，同比增長約73.59%。（3）2023年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元，而2024年公司并無該項股權(quán)處置收益。

    2024年歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤約13.88億元，較上年同期增加16.51%，本期增長的主要原因：由于2024年營業(yè)收入增長44.73%，毛利較去年增長約9.78億元，以及2024年研發(fā)費用較去年增長約6.01億元。

    于報告期末，公司總資產(chǎn)約262.18億元，較報告期初增加21.80%；歸屬于母公司的所有者權(quán)益約197.37億元，較報告期初增加10.72%。

    報告期內(nèi)，公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司瞄準(zhǔn)世界科技前沿，基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域。

    公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65至5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。公司MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。公司近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備，目前已有多款新型設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入市場并獲得重復(fù)性訂單。

    2024年公司研發(fā)投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為27.05%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司的平均研發(fā)投入水平。

    報告期內(nèi)，公司新增專利申請359項，包括發(fā)明專利263項，實用新型專利84項，外觀設(shè)計專利12項。截至2024年12月，公司已申請2,910項專利，其中發(fā)明專利2,424項，占比83.30%；已獲授權(quán)專利1,781項，其中發(fā)明專利1,514項。

    公司CCP刻蝕設(shè)備中雙反應(yīng)臺Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIEe，單反應(yīng)臺Primo HD-RIE等產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶的生產(chǎn)線，2024年付運量較2023年增長逾100%。具有動態(tài)可調(diào)電極間距功能的雙反應(yīng)臺Primo SD-RIE 進(jìn)入先進(jìn)邏輯生產(chǎn)線驗證關(guān)鍵工藝。用于高精度高選擇比刻蝕工藝的單反應(yīng)臺產(chǎn)品Primo HD-RIEe，和用于超高深寬比刻蝕工藝的Primo UD-RIE實現(xiàn)規(guī)模付運。2024年全年CCP刻蝕設(shè)備生產(chǎn)付運超過1200反應(yīng)臺，創(chuàng)歷史新高。累計裝機(jī)量超過4000反應(yīng)臺，連續(xù)十年保持大于30%的年平均復(fù)合增長率。

    公司已有的刻蝕產(chǎn)品已經(jīng)對28納米以上的絕大部分CCP刻蝕應(yīng)用和28納米及以下的大部分CCP刻蝕應(yīng)用形成較為全面的覆蓋。針對28納米及以下的邏輯器件生產(chǎn)中廣泛采用的一體化大馬士革刻蝕工藝，公司開發(fā)的可調(diào)節(jié)電極間距的CCP刻蝕機(jī)Primo SD-RIE已進(jìn)入國內(nèi)領(lǐng)先的邏輯芯片制造客戶端，初步電性驗證已經(jīng)通過，正在進(jìn)行更多的器件功能測試。Primo SD-RIE也已經(jīng)進(jìn)入28納米以下的研發(fā)線，就多項關(guān)鍵刻蝕工藝開展現(xiàn)場研發(fā)工作。該設(shè)備采用雙反應(yīng)臺平臺設(shè)計，在滿足客戶工藝指標(biāo)的同時可以有效幫助客戶降低其相關(guān)的生產(chǎn)成本。Primo SD-RIE具有實時可調(diào)電極間距功能，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，能靈活調(diào)節(jié)等離子體和活性自由基的濃度分布，公司多項的技術(shù)革新能有效應(yīng)對一體化大馬士革刻蝕工藝中的獨特要求，在同一刻蝕工藝中有效應(yīng)對在實現(xiàn)最優(yōu)溝槽和通孔刻蝕均勻性過程中可能發(fā)生的問題，極大拓寬了一體化刻蝕工藝的工藝窗口和工藝能力。

    報告期內(nèi)，公司的ICP刻蝕設(shè)備在涵蓋邏輯、DRAM、3D NAND、功率和電源管理、以及微電機(jī)系統(tǒng)等芯片和器件的50多個客戶的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，并繼續(xù)驗證更多ICP刻蝕工藝。2024年，ICP刻蝕設(shè)備在客戶端的累計安裝數(shù)達(dá)到1025個反應(yīng)臺，近四年年均增長大于100%。

    報告期內(nèi)，公司用于藍(lán)光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于Mini-LED顯示的PRISMO UniMax等產(chǎn)品持續(xù)服務(wù)客戶。截止2024年，公司持續(xù)保持國際氮化鎵基MOCVD設(shè)備市場領(lǐng)先地位。其中PRISMO UniMax產(chǎn)品自2021年6月正式發(fā)布以來，憑借其高產(chǎn)量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點，受到下游客戶的廣泛認(rèn)可，在Mini-LED顯示外延片生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域處于國際領(lǐng)先。

    公司于2023年底付運Micro-LED應(yīng)用的設(shè)備樣機(jī)Preciomo Udx至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗證。報告期內(nèi)樣機(jī)驗證順利，已基本滿足客戶生產(chǎn)要求。

    隨著電動汽車、消費電子、人工智能、風(fēng)力與光伏儲能和軌道交通等應(yīng)用的快速發(fā)展，市場對氮化鎵和碳化硅功率器件的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。公司已經(jīng)建立了氮化鎵LED外延裝備的優(yōu)勢，在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步研發(fā)了面向硅基氮化鎵異質(zhì)外延功率器件的專用設(shè)備。于2022年推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)應(yīng)用的MOCVD設(shè)備PRISMO PD5，目前已交付客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗證，并取得了重復(fù)訂單。除此之外，公司正在開發(fā)新一代氮化鎵功率器件應(yīng)用的MOCVD設(shè)備，將進(jìn)一步提升設(shè)備性能，降低客戶生產(chǎn)成本，持續(xù)提升公司在氮化鎵基MOCVD設(shè)備領(lǐng)域的競爭力，預(yù)計2025年將付運至客戶進(jìn)行驗證。

    同時，公司也啟動了應(yīng)用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，報告期內(nèi)公司取得較大的技術(shù)進(jìn)展，實現(xiàn)了優(yōu)良的工藝結(jié)果，正與多家領(lǐng)先客戶開展商務(wù)洽談，報告期內(nèi)已付運樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗證。

    此外，公司也緊跟市場發(fā)展趨勢，積極拓展MOCVD設(shè)備的應(yīng)用范圍；報告期內(nèi)，公司啟動了應(yīng)用于紅黃光LED的MOCVD設(shè)備開發(fā)，目前開發(fā)較為順利，實驗室初步結(jié)果已實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能。

    公司已開發(fā)出六款薄膜沉積產(chǎn)品推向市場。中微公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品：CVD（化學(xué)氣相沉積）鎢設(shè)備，HAR（高深寬比）鎢設(shè)備和ALD（原子層沉積）鎢設(shè)備，可覆蓋存儲器件所有鎢應(yīng)用；該系列設(shè)備均已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證，滿足先進(jìn)存儲應(yīng)用中所有金屬互聯(lián)應(yīng)用（包含高深寬比金屬互聯(lián)應(yīng)用）及三維存儲器件字線應(yīng)用各項性能指標(biāo)，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。同時，公司鎢系列產(chǎn)品也可滿足先進(jìn)邏輯客戶鎢接觸孔應(yīng)用性能需求，已付運機(jī)臺到多個邏輯客戶進(jìn)行驗證，為進(jìn)一步積累市場優(yōu)勢打下基礎(chǔ)。

    同期，公司開發(fā)出應(yīng)用于先進(jìn)邏輯器件的金屬柵系列產(chǎn)品：ALD氮化鈦，ALD鈦鋁，ALD氮化鉭產(chǎn)品，已完成多個先進(jìn)邏輯客戶設(shè)備驗證，可滿足先進(jìn)邏輯客戶性能需求的同時，設(shè)備的薄膜均一性，污染物控制和生產(chǎn)效率均達(dá)到世界先進(jìn)水平。該系列設(shè)備已付運到先進(jìn)邏輯客戶端進(jìn)行驗證，核準(zhǔn)推進(jìn)順利。其中，ALD氮化鈦薄膜也是先進(jìn)存儲器件中鎢填充阻擋層和粘結(jié)層的主要選擇，公司開發(fā)的ALD氮化鈦設(shè)備可滿足先進(jìn)存儲器件高深寬比及三維結(jié)構(gòu)的臺階覆蓋率需求及各項性能指標(biāo)，并已通過多個關(guān)鍵存儲客戶的樣品驗證，有利于進(jìn)一步擴(kuò)大市場規(guī)模。

    中微公司在現(xiàn)有的金屬CVD和ALD設(shè)備研發(fā)基礎(chǔ)上，同步推進(jìn)多款CVD和ALD設(shè)備開發(fā)，增加薄膜設(shè)備的覆蓋率，進(jìn)一步拓展市場。

    子公司中微惠創(chuàng)利用分子篩的吸附原理，開發(fā)制造了平板顯示領(lǐng)域氣體凈化設(shè)備。設(shè)備可根據(jù)客戶的要求靈活配置不同處理規(guī)模的系統(tǒng)，提供給客戶可靠、穩(wěn)定、安全和節(jié)能的凈化解決方案。此外，中微惠創(chuàng)與德國DAS環(huán)境專家有限公司繼續(xù)開展戰(zhàn)略合作，雙方在半導(dǎo)體行業(yè)尾氣處理設(shè)備領(lǐng)域展開緊密的合作，目前已經(jīng)批量生產(chǎn)制造凈化設(shè)備，并順利地應(yīng)用在各個客戶端，共同推動環(huán)保科技行業(yè)的發(fā)展。

    為更好地完善公司的產(chǎn)業(yè)鏈布局，進(jìn)一步提升公司的產(chǎn)能規(guī)模和綜合競爭實力，公司在上海臨港新片區(qū)建設(shè)中微臨港產(chǎn)業(yè)化基地及中微臨港總部和研發(fā)中心，在南昌高新區(qū)建設(shè)中微南昌產(chǎn)業(yè)化基地。公司位于南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地主體建設(shè)已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心也在順利建設(shè)，為今后的發(fā)展夯實基礎(chǔ)。