在Micro LED技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與專(zhuān)利突破顯得尤為關(guān)鍵。作為該領(lǐng)域的重要參與者，兆馳半導(dǎo)體近期在專(zhuān)利成果上取得了顯著進(jìn)展，其3項(xiàng)Micro LED專(zhuān)利順利進(jìn)入授權(quán)階段，這不僅是兆馳半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)力的有力彰顯，也為Micro LED行業(yè)的技術(shù)革新注入了新的活力。

    4月1日，“Micro LED外延片及其制備方法、Micro LED芯片”相關(guān)專(zhuān)利進(jìn)入有效授權(quán)階段

    本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種Micro LED外延片及其制備方法、Micro LED芯片，所述Micro LED外延片包括襯底，所述襯底上依次設(shè)有緩沖層、N型GaN層、多量子阱層、P型GaN層；第一多量子阱層包括至少一組依次層疊的第一InGaN量子阱層、第一AlGaN/GaN超晶格層和第一GaN量子壘層，第二多量子阱層包括至少一組依次層疊的第二InGaN量子阱層、第二AlGaN/GaN超晶格層和第二GaN量子壘層，第三多量子阱層包括至少一組依次層疊的第三InGaN量子阱層、空穴注入層和第三GaN量子壘層。

    本發(fā)明提供的Micro LED外延片能夠提高M(jìn)icro LED芯片在低工作電流密度下的光效。

    3月18日，“Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED”、“高光效Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED”專(zhuān)利均進(jìn)入有效授權(quán)階段；兩大發(fā)明均可提升發(fā)光效率。

    Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED專(zhuān)利詳情如下：Micro‑LED外延片依次包括襯底、N型GaN層、第一多量子阱層和P型GaN層，第一多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和第一量子壘層；量子阱層包括依次層疊的第一GaN層、第一InGaN層、InxGa1‑xN層和AlN層；第一量子壘層包括依次層疊的第一AlGaN層、N型AlαGa1‑αN層、非摻雜AlaGa1‑aN層、N型AlβGa1‑βN層和第二GaN層；第一InGaN層中In組分占比呈遞增變化，且其最大值≤x；第一AlGaN層中Al組分呈遞減變化，且其最小值≥α。

    高光效Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED專(zhuān)利詳情如下：Micro‑LED外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴擴(kuò)展層、空穴存儲(chǔ)層和空穴層；空穴擴(kuò)展層為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期均包括依次層疊的BN層和Mg輕摻GaN層；空穴存儲(chǔ)層為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期均包括依次層疊的GaN層、InGaN層和Mg摻AlGaN層；空穴層為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期均包括依次層疊的P型BInGaN層、Mg3N2層和P型GaN層；P型GaN層的摻雜濃度≥1×1019cm‑3。