近日，無錫先為科技有限公司宣布，其首臺(tái) GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。這一成果標(biāo)志著先為科技在化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備領(lǐng)域取得了重大突破，也為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展注入了新的動(dòng)力。​

    先為科技成立于 2020 年 12 月 25 日，是先導(dǎo)集團(tuán)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局的關(guān)鍵企業(yè)。公司專注于化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的研發(fā)、制造與銷售，依托先導(dǎo)集團(tuán)在高端裝備制造領(lǐng)域的深厚積累，致力于為全球客戶提供高端化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備與服務(wù)。目前，先為科技擁有正向研發(fā)且知識(shí)產(chǎn)權(quán)自主可控的 GaN MOCVD 外延設(shè)備、SiC Epi 外延設(shè)備，廣泛應(yīng)用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片及碳化硅功率芯片的生產(chǎn)制造，各項(xiàng)性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。​

    此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備是先為科技的創(chuàng)新之作，運(yùn)用了特有的溫場和流場設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片的 GaN 外延制造提供堅(jiān)實(shí)保障。該設(shè)備不僅在成膜質(zhì)量上表現(xiàn)出色，還能夠大幅提升生產(chǎn)效率，同時(shí)有效降低使用成本，為客戶提供了優(yōu)異的 GaN 外延加工解決方案。​

    隨著 AI、服務(wù)器電源、人形機(jī)器人等新興應(yīng)用領(lǐng)域的爆發(fā)式增長，市場對(duì)高性能硅基氮化鎵功率芯片的需求激增。GaN MOCVD 外延設(shè)備作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心裝備，長期被國外企業(yè)壟斷。先為科技國產(chǎn)設(shè)備的成功推出，為國內(nèi)乃至全球客戶提供了新的設(shè)備選擇，增強(qiáng)了化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的韌性和安全性，推動(dòng)了國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更健康、更自主的方向發(fā)展。​

    先為科技表示，未來將繼續(xù)加大研發(fā)投入，不斷提升技術(shù)創(chuàng)新能力，致力于成為全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備供應(yīng)商。公司的發(fā)展愿景是打破國外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)高端半導(dǎo)體設(shè)備的完全國產(chǎn)化替代，助力國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)構(gòu)建自主可控、安全高效的產(chǎn)業(yè)鏈體系，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)行業(yè)變革，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)中國智慧與力量。