顯示器國(guó)際會(huì)議“18th International Display Workshops（IDW '11）”，于2011年12月7～9日在名古屋國(guó)際會(huì)場(chǎng)舉行，同期舉行的有機(jī)EL（OLED）和電子紙會(huì)議上，有很多產(chǎn)品的發(fā)布令筆者非常感興趣。

    在“AMD1”與“OLED3”的合并會(huì)議“AMOLED”上，索尼發(fā)布了采用多晶氧化物TFT的有源矩陣驅(qū)動(dòng)OLED（AMOLED）面板（論文序號(hào)AMD1/OLED3-1）。其溝道層采用多晶IGO膜取代了原來(lái)的非晶IGZO膜。遷移率高達(dá)22～24cm²/Vs，遇到DHF溶液也基本不會(huì)被蝕刻，因此適合反向通道蝕刻型TFT。

    SRU（short range uniformity）方面，16個(gè)TEG檢測(cè)結(jié)果表明，Vth的平均值為0.23V，σ＝0.02V，偏差很小。LRU（long range uniformity）方面，在300mm×350mm的玻璃底板上，遷移率平均值為23.8cm²/Vs，σ＝0.86cm²/Vs，整個(gè)基板的偏差也很小�？煽啃苑矫妫赩g＝Vd＝15V的PBTS（positive bias temperature stress）試驗(yàn)中，在10000秒內(nèi)有0.25V左右的Vth漂移。

    索尼采用這種多晶IGO TFT試制出了有源矩陣驅(qū)動(dòng)OLED面板。對(duì)角9.9英寸，像素為960×540（qHD），像素回路為2T（雙晶體管）構(gòu)造。估計(jì)跟該公司已投產(chǎn)的11英寸OLED電視“XEL-1”一樣，通過(guò)2T-2C（2晶體管-2電容器）回路補(bǔ)償了Vth和遷移率。從照片上看，均一性良好。

    由于IGO不能制造多結(jié)晶的靶材，所以必須在非晶狀態(tài)下成膜后通過(guò)基于熱退火的固相生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)多晶化。長(zhǎng)年從事多晶硅TFT業(yè)務(wù)的人員，可能會(huì)擔(dān)心“多晶化會(huì)不會(huì)需要巨大的熱量”，但由于“可以在非晶硅TFT的最高工藝溫度以下進(jìn)行短時(shí)間處理”，所以對(duì)產(chǎn)品的批量生產(chǎn)似乎沒(méi)有什么影響。從均一性數(shù)據(jù)來(lái)看，結(jié)晶成長(zhǎng)所產(chǎn)生的顆粒也基本沒(méi)有影響，因此完全有可能成為反向通道蝕刻型氧化物TFT的真正候補(bǔ)。