回顧往昔，a-Si 一直是TFT背板的主要技術方案。A-Si TFT技術具有制造成本低，成品率較高以及基板制造升級相對簡單，目前可以用超大的9平方米玻璃基板進行量產。這種世代升級帶來的成本降低日益滿足了消費者的價格預期，使得a-Si TFT-LCD產品成為了顯示業內的主流產品。

    晶體管的功能主要是為像素充電，快速達到工作電壓，并保持像素上的電量直到下一次刷新信號。對于晶體管來講，一個關鍵的性能是載流子的遷移率，即電子的移動速度。電子遷移率低意味著響應緩慢。A-Si的載流子遷移率將不能夠勝任高分辨率，高響應速度顯示屏的要求，如最新的高端智能手機和平板電腦等顯示屏。

    可替代a-Si的技術目前有LTPS（低溫多晶硅）和MO（金屬氧化物）。最好的替代材料應該有更高的載流子遷移率，而且制造成本要低，量產的良率要高以及制造工藝能夠向大尺寸化（同時保持薄膜的均勻性）升級，進一步發揮世代升級帶來的單位面積制造成本降低的優勢。

    相對地，LTPS具有最高的載流子遷移率，不過制造成本也最高，由于LTPS需要更多的工藝步驟。而且LTPS工藝在獲得良好的薄膜均勻性和高良品率方面也面臨很大的挑戰。此外，LTPS在世代升級上受到一定的限制，目前主要的瓶頸在激光退火設備，只能對應中等基板尺寸（小于3平方米）。

    MO技術，采用銦鎵鋅氧組分的金屬氧化物成為業界最具希望的替代技術，能夠在大尺寸玻璃基板上獲得所需的高遷移率和高均勻性。（今天，應用材料公司正式發布了一項新的PECVD技術，用于制造MO TFT的絕緣薄膜，其可容納的基板尺寸有9平方米大小，如前面a-Si中提到的尺寸。）MO 工藝，對比LTPS，所需的光罩工序更少，而且具有在室溫條件沉積薄膜的優點，意味著在未來的柔性顯示襯底上可以進行同樣的成膜工藝。

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